26.02.2018 - rbz bei der ISSCC 2018

Vielbeachtetes Forschungsprojekt am rbz Reutlingen

Achim Seidel, Doktorand aus dem Team „Integrierte Schaltungen“ von Prof. Bernhard Wicht, hat auf einer der führenden Konferenzen der integrierten Schaltungstechnik, der ISSCC 2018 seine aktuellen Forschungsergebnisse vorgestellt.

 

Es geht um Gate-Treiber für hochmoderne Leistungstransistoren aus Gallium-Nitrid (GaN). Das sind Ansteuerschaltungen, die den Transistor kontrolliert ein-und ausschalten. Der vorgestellte Treiber erlaubt ein robustes und effizientes Schalten des Leistungstransistors mit nur wenigen zusätzlichen Bauteilen außerhalb des Treiber-ICs. 

 

Die Zeitschrift Electronics Weekly berichtet dazu ausführlich auf ihrer Webseite:

ISSCC: Novel gate drive improves GaN power transistor switching