14.05.2013 - rbz-Kolloquium mit Dr. Anton Bauer

Herr Dr. Anton Bauer vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Strategische Planung, Erlangen wird im Rahmen des rbz-Kolloquiums zum Thema "Reliability Issues in 4H-SiC-Devices" referieren.

Wann: Dienstag, 14.05.2013, 16:00 - 17:00 Uhr

Wo: Robert Bosch Zentrum für Leistungselektronik (rbz)
72768 Reutlingen-Rommelsbach, Oferdinger Str. 50

 

Wir freuen uns über Ihren Besuch!

 

Zum Inhalt:

In letzter Zeit werden immer mehr diskrete Siliziumcarbid(SiC)-Halbleiterbauelemente für An­wendungen in leistungselektronischen Systemen verfügbar. SiC-Schottky-Dioden werden schon seit mehr als 10 Jahre von  amerikanischen und europäischen Firmen angeboten. SiC-Bauele­mente als aktive Schalter, wie Bipolar- und Feldeffekttransistoren, haben neuerdings Marktreife erreicht. Die Nachfrage nach solchen Bauelementen, besonders für Anwendungen bei hohen Spannungen und hohen Temperaturen, ist deutlich zu sehen. Der Hauptvorteil von Halbleitern großer Bandlücke wie SiC für den Bereich Leistungselektronik ist deren hohe kritische Durch­bruchfeldstärke. Wendet man SiC-Bauelemente als aktive Schalter in der Leistungselektronik an, ermöglicht eine hohe kritische Durchbruchfeldstärke deren Einsatz mit deutlich verringerten sowohl statischen als auch dynamischen Verlusten. Das bedeutet wiederum ein enormes Poten­tial zur Energieeinsparung. Trotzdem ist die Durchdringung des Markts für leistungselektro­ni­sche Schalter mit SiC-Bauelementen weniger ausgeprägt als sie sein könnte. Zum einen schrec­ken die immer noch hohen Kosten von SiC-Bauelementen mögliche Anwender ab, zum anderen sind die Anwender sehr konservativ. Vor allem die Zuverlässigkeit der SiC-Bauelemente macht ihnen Sorgen und dies nicht nur auf Bauelemente- sondern auch auf Systemebene. Im Rahmen des Vortrags werden nach einer Diskussion der Materialeigenschaften von 4H-SiC die Heraus­for­derungen an SiC-Leistungsbauelemente in Hinblick auf deren Zuverlässigkeit auf Bau­elemente- und auf Systemebene diskutiert.