Preisträger Ismail Yasar (Student der Leistungs- und Mikroelektronik am rbz Reutlingen) mit seinen Ko-Autoren und Kommilitonen

31.07.2015 - Zum dritten Mal in Folge: Der IEEE Best Paper Award geht ans rbz Reutlingen

Im Rahmen des 54. Workshops der Multi-Project-Chip-Gruppe (MPC) wurde am 10. Juli 2015 in Ulm ein Preis für den besten eingereichten Fachartikel vergeben: Der IEEE SSCS Best Paper Award ging an den rbz-Studenten Ismail Yasar.

Die Multi-Project-Chip-Gruppe (MPC) ist eine gemeinsame Initiative der Fachhochschulen in Baden-Württemberg. Bei regelmäßig stattfindenden Workshops werden Themen zu Mikroelektronik und zum Entwurf von Mikrochips behandelt.

 

Auf dem 54. Workshop der Multi-Project-Chip-Gruppe Baden-Württemberg wurden aktuelle Ergebnisse aus der laufenden Forschung präsentiert und vom Fachpublikum bewertet. Der Beitrag von Ismail Yasar mit dem Titel „Flächenoptimierte Bandgap Reference für Low-Power Anwendungen mit 2,5 – 5,5 V Versorgung“ wurde mit dem Best Paper Award der IEEE Solid-State Circuit Society, German Section, ausgezeichnet. In dem Beitrag stellen der Preisträger sowie die Ko-Autoren Cedric Leonel Jiago Teffo, Benjamin Schoch, Robin Staudt und Thomas Stoof (alles Studenten im dritten Semester des Masterstudiengangs Leistungs- und Mikroelektronik) und rbz-Doktorand Jürgen Wittmann sowie rbz-Professor Bernhard Wicht den von ihnen in einem Projektpraktikum entworfenen Mikrochip vor. Die im Workshop-Beitrag behandelte Spannungsreferenz ist als „Messnormal“ in vielen Elektronikanwendungen einsetzbar. Durch die geringe Stromaufnahme ist sie für die stark wachsende Anzahl von Anwendungen geeignet, bei denen hohe Energieeffizienz und eine längere Batterielebensdauer entscheidend sind.

 

Nach seinem Bachelor-Abschluss im Studiengang Mechatronik an der Hochschule Reutlingen begann Ismail Yasar im Sommersemester 2014 das Master-Studium der Leistungs- und Mikroelektronik am Robert Bosch Zentrum für Leistungselektronik (rbz) in Reutlingen.

 

Die Freude über die Verleihung des Best Paper Awards ist umso größer, da dieser Preis auch die letzten beiden Male an Vertreter des rbz Reutlingen ging:

Beim 52. Workshop im Juli letzten Jahres erhielt rbz-Absolvent Jonas Wursthorn den Preis für seinen Beitrag mit dem Titel „A Millimeter-Wave Power Amplifier Concept in SiGe BiCMOS Technology for Investigating HBT Physical Lomitations“. Beim 53. Workshop im Februar dieses Jahres durfte sich Daniel Lutz, ebenfalls Absolvent des rbz, über den Preis freuen. Sein Beitrag trug den Titel „Low Power SC Wandler mit hoher variabler Eingangsspannung“.